Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… … Radioelektronikos terminų žodynas
compound-semiconductor interface — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… … Radioelektronikos terminų žodynas
interface de semi-conducteurs composés — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… … Radioelektronikos terminų žodynas
поверхность раздела между полупроводниковыми соединениями — skiriamasis puslaidininkinių junginių paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. compound semiconductor interface vok. Grenzfläche zwischen den Verbindungshalbleitern, f rus. поверхность раздела между полупроводниковыми… … Radioelektronikos terminų žodynas
